工頻磁場誘導(dǎo)小鼠胚胎成纖維細(xì)胞ROS相關(guān)的自噬.pdf

1、背景:工頻磁場是指頻率為50Hz或60Hz，由各種電壓等級輸電線及各種家用電器等產(chǎn)生的磁場，其屬于極低頻電磁場(0-300Hz)的范疇。工頻磁場被報道可以改變神經(jīng)組織的Ca2+的內(nèi)穩(wěn)態(tài)，引起不同細(xì)胞ROS的上升，引起細(xì)胞或生物內(nèi)穩(wěn)態(tài)的改變導(dǎo)致其細(xì)胞功能的改變。自噬對維持細(xì)胞、組織或生物體的內(nèi)穩(wěn)態(tài)發(fā)揮重要功能。細(xì)胞自噬將受損的細(xì)胞器或生物大分子包裹進(jìn)自噬體，與溶酶體結(jié)合后降解內(nèi)容物供機(jī)體重新利用，是機(jī)體重要的一種防御和保護(hù)機(jī)制。暴露于工頻

2、磁場后，細(xì)胞穩(wěn)態(tài)的變化是否會引起細(xì)胞發(fā)生自噬，以適應(yīng)這一新的環(huán)境目前還未知。
　　目的:本研究擬探索2 mT工頻磁場對小鼠胚胎成纖維細(xì)胞自噬的影響。方法:MEF細(xì)胞暴露于2 mT工頻磁場30分鐘、2小時、6小時、12小時和24小時后，通過Western blotting實驗檢測細(xì)胞內(nèi)自噬標(biāo)志物L(fēng)C3-Ⅱ表達(dá)水平。監(jiān)測到暴露組自噬標(biāo)志物增加的時間點后，我們通過激光共聚焦顯微鏡檢測細(xì)胞內(nèi)GFP-LC3定位自噬小體情況，用透射電鏡觀察細(xì)

3、胞內(nèi)自噬體形成情況，通過添加溶酶體抑制劑氯喹檢測自噬流量變化。并且，我們用ROS檢測試劑盒測定細(xì)胞內(nèi)ROS水平，用流式細(xì)胞儀及TUNEL染色檢測細(xì)胞凋亡。
　　結(jié)果:在本實驗條件下，工頻磁場暴露6h可引起MEF細(xì)胞自噬標(biāo)志物水平上升，包括(1) LC3-Ⅱ表達(dá)水平升高;(2)GFP-LC3亮點數(shù)量增加;(3)自噬小體形成數(shù)量增加。另外，通過添加氯喹，我們發(fā)現(xiàn)工頻磁場輻照6h后自噬流量增加，提示工頻磁場誘導(dǎo)的MEF自噬標(biāo)志物水平上升