第三章 存儲系統(tǒng)(習題解答)

1、第三章第三章存儲系統(tǒng)存儲系統(tǒng)（習題參考答案）（習題參考答案）1有一個具有20位地址和32位字長的存儲器，問：（1）該存儲器能存儲多少個字節(jié)的信息？（2）如果存儲器由512K8位SRAM芯片組成，需要多少芯片？（3）需要多少位地址作芯片選擇？解：（解：（1）∵22020=1M1M，∴該存儲器能存儲的信息為：該存儲器能存儲的信息為：1M328=4MB1M328=4MB（2）（）（1024K512K1024K512K）（328328）=8（片

2、）（片）（3）需要需要1位地址作為芯片選擇。位地址作為芯片選擇。（選擇選擇兩個兩個512K32位的存位的存儲體）2.已知某64位機主存采用半導體存儲器，其地址碼為26位，若使用256K16位的DRAM芯片組成該機所允許的最大主存空間，并選用模塊板結構形式，問：（1）每個模塊板為1024K64位，共需幾個模塊板？（2）每個模塊板內共有多少DRAM芯片（3）主存共需多少DRAM芯片CPU如何選擇各模塊板？解：解：(1)(1)最大主存空間為：

3、最大主存空間為：226266464位，每個模塊板容量為：位，每個模塊板容量為：1024K641024K64位=2=220206464位設：共需模塊板數(shù)為設：共需模塊板數(shù)為m：則：則：m=m=（226266464位）位）（220206464位）位）=6464(塊)（2）依題意，采用異步刷新方式較合理，可滿足）依題意，采用異步刷新方式較合理，可滿足CPUCPU在1μS1μS內至少訪問內存一內至少訪問內存一次的要求。次的要求。設16K816K

4、8位存儲芯片的陣列結構為位存儲芯片的陣列結構為128128行128128列，按行刷新，刷新周期列，按行刷新，刷新周期T=2msT=2ms，則異步刷新的間隔時間為：則異步刷新的間隔時間為：則兩次刷新的最大時間間隔發(fā)生的示意圖如下：則兩次刷新的最大時間間隔發(fā)生的示意圖如下：可見，兩次刷新的最大時間間隔為ｔ可見，兩次刷新的最大時間間隔為ｔｍａｘｍａｘｔｍａｘｍａｘ＝15.50.5=15(μS)對全部存儲單元刷新一遍所需時間為對全部存儲單元刷新

5、一遍所需時間為tRtR＝0.5128=64(μS)7某機器中，已知配有一個地址空間為0000H3FFFH的ROM區(qū)域?，F(xiàn)在再用一個RAM芯片(8K8)形成40K16位的RAM區(qū)域，起始地址為6000H假定RAM芯片有和信號控制端。CPU的地址總線為A15A0，數(shù)據(jù)總線為D15D0，控制信號為R(讀寫)，(訪存)，要求：（1）畫出地址譯碼方案。（2）將ROM與RAM同CPU連接。解：（解：（1）依題意，主存地址空間分布如右圖所示，可選用）