已閱讀1頁，還剩55頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、標準單元庫在整個ASIC后端設(shè)計中的各個階段扮演著極其重要的角色,一個性能優(yōu)良的標準單元庫可以給設(shè)計最終的成功提供有力的保障。如何有效的發(fā)掘單元庫本身的潛力、提高其性能是一項值得深入研究的內(nèi)容。文章結(jié)構(gòu)大致分為三大部分:
首先是根據(jù)研究背景和現(xiàn)狀提出了本次研究的目的,然后簡單介紹了ASIC后端設(shè)計的大致流程和標準單元庫的內(nèi)容,包括標準單元的類型和一些關(guān)鍵的工藝庫文件。
接下來用并聯(lián)拼接單元的方式,從豐富驅(qū)動能力的角度
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 深亞微米標準單元庫設(shè)計與優(yōu)化.pdf
- 基于smic0.18μmeeprom工藝的標準單元庫設(shè)計
- 基于smic0.18umeeprom工藝的標準單元庫設(shè)計
- 納米工藝下低漏功耗CMOS標準單元的設(shè)計.pdf
- 40納米工藝下標準單元庫的設(shè)計.pdf
- 基于納米工藝標準單元的光學(xué)鄰近效應(yīng)優(yōu)化設(shè)計方法.pdf
- 基于可擴展標準單元的電路設(shè)計方法研究.pdf
- 基于TSMC28nm工藝的低功耗標準單元庫設(shè)計.pdf
- 基于700vsoi工藝平臺的0.5μm標準單元庫的設(shè)計
- 近閾值高能效抗工藝偏差的標準單元庫設(shè)計.pdf
- 0.18μm抗輻射標準單元庫的設(shè)計與實現(xiàn)
- 40nm標準單元庫的移植與加固設(shè)計.pdf
- 深亞微米CMOS工藝下版圖效應(yīng)對標準單元時序影響的分析與研究.pdf
- 標準單元布圖及其庫單元版圖生成理論與算法研究.pdf
- 近閾值低漏電標準單元庫設(shè)計.pdf
- 應(yīng)用于低功耗技術(shù)的標準單元庫.pdf
- smic0.18μm工藝抗輻射組合標準單元庫設(shè)計
- 40nm可制造標準單元庫的設(shè)計與實現(xiàn).pdf
- smic0.18μm工藝抗輻射時序標準單元建庫研究
- 一種標準單元庫功能測試模塊的設(shè)計.pdf
評論
0/150
提交評論