2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、伴隨著科學技術的發(fā)展,集成電路加工工藝不斷的進步,集成電路的幾何尺寸越來越小,集成度越來越高。但在工藝尺寸不斷縮小的同時,無用功耗所占比例也在持續(xù)的增加。當工藝技術發(fā)展到納米級后,無用功耗中的漏功耗所占比例越來越高,達到了總功耗的一半以上。低漏功耗設計技術已經(jīng)成為集成電路設計中亟待解決的突出問題。
  基于 EDA工具的標準單元設計方法,是當前人們最通用的數(shù)字集成電路設計的方法,在數(shù)字芯片的設計中地位突出。設計出低漏功耗的標準單元

2、是降低芯片能耗的有效手段,具有重要的現(xiàn)實意義。
  本文通過利用EDA工具探索反相器(CMOS)標準單元的低漏功耗設計方法,找出有效地降低漏功耗的途徑,并推廣至其它的標準單元設計中。然后,總結出低漏功耗標準單元的設計流程,在中芯國際130nm的工藝技術條件下,設計具有低漏功耗性能的標準單元,并使之能與原單元庫中的單元兼容,為整體的集成電路低漏功耗設計打下基礎。
  根據(jù)標準單元設計的技術流程,本文的研究工作按以下幾個步驟進行

3、:
  1、根據(jù)漏功耗產(chǎn)生原因,對中芯國際130nm單元庫中的標準單元的漏能耗進行分析,通過改進電路結構、優(yōu)化電路尺寸,使漏功耗得到減??;
  2、按照改進后的設計方法進行低漏功耗單元的版圖繪制。嚴格按照SMIC13工藝規(guī)則進行設計,包括標準單元的寬度、高度,以及 PIN的位置等等問題;
  3、進行布局布線庫的設計,應用Abstract 軟件,對標準單元進行物理抽象提取,為后面的自動布局布線做準備;
  4、進

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