射頻LDMOS新結(jié)構(gòu)的特性與工藝研究.pdf

1、射頻功率放大器是射頻集成電路發(fā)展的核心推動(dòng)力，要求構(gòu)成射頻功放的射頻器件具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、高頻率、尺寸小、工藝上易實(shí)現(xiàn)等特點(diǎn)，為此本文提出了兩種射頻LDMOS新結(jié)構(gòu)以滿足以上特點(diǎn)，并且借助TCAD工具從基本特性和工藝制備這兩方面對(duì)這兩種器件結(jié)構(gòu)展開了深入研究。
　　首先，本文提出了一種具有橫向變厚度漂移區(qū)結(jié)構(gòu)的射頻SOI LDMOS。與常規(guī)LDMOS結(jié)構(gòu)不同是，新結(jié)構(gòu)的漂移區(qū)厚度從源端到漏端逐漸增加，利用半導(dǎo)體器件仿真工

2、具Silvaco研究了器件的基本特性，可知該結(jié)構(gòu)能有效改善表面電場(chǎng)分布，且VLT結(jié)構(gòu)具有擊穿電壓高、導(dǎo)通電阻低、截止頻率高等特點(diǎn)。接著，本文提出了一種采用硅的局部氧化技術(shù)與CMOS工藝相結(jié)合的工藝方案來制備RF VLT SOI LDMOS，借助Tsuprem4工具并對(duì)工藝條件和工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。該方案為制備RF VLT SOI LDMOS結(jié)構(gòu)提供了一種簡單可行的新方法。
　　其次，本文又提出了一種具有垂直漂移區(qū)結(jié)構(gòu)的射頻LD