利用TCAD軟件優(yōu)化兼容于BCD工藝的LDMOS結(jié)構(gòu).pdf

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展,通過電腦輔助設(shè)計(jì)來幫助完成半導(dǎo)體的生產(chǎn),設(shè)計(jì)和研究,越來越成為一個(gè)重要的手段。本文通過Silvaco的TCAD(Technology Computer Aided Design)工具,利用TCAD內(nèi)建的半導(dǎo)體器件制造工藝仿真模塊和器件性能仿真模塊,以及圖形化的分析工具,對(duì)一個(gè)應(yīng)用于的BCD(Biplor-CMOS-DMOS)工藝下的參考LDMOS(Lateral Double-Diffused M

2、OS,橫向雙重?cái)U(kuò)散場效應(yīng)管)器件的源漏擊穿電壓的各結(jié)構(gòu)及其尺寸,位置等制造參數(shù)在工藝仿真模塊內(nèi)進(jìn)行調(diào)試和優(yōu)化,在器件性能仿真模塊內(nèi)進(jìn)行性能測試,并通過圖形化器件參數(shù)分析軟件分析其體內(nèi)電場,以觀察各種工藝變化對(duì)擊穿電壓的變化。本文完成過程中,作者通過TCAD軟件的幫助,并在研究了各種最新的應(yīng)用于LDMOS提高源漏擊穿電壓的結(jié)構(gòu)參數(shù)和設(shè)計(jì)理論后,實(shí)現(xiàn)了在標(biāo)準(zhǔn)P型襯底和漂移區(qū)長度75微米之下,以不改變?cè)撈骷锌杉嫒萦贐CD工藝的最終參數(shù)和結(jié)

3、構(gòu),將原器件的700V+的源漏擊穿電壓提高到了1200V以上的源漏擊穿電壓。著重探討的部分為在不改變器件的工藝兼容性如襯底濃度,源漏摻雜濃度和擴(kuò)散時(shí)間等情況下,運(yùn)用Resurf理論(Reduced Surface Field,降低表面場)和Double Resurf理論,對(duì)源漏擊穿電壓主要的決定因素如外延層厚度,濃度,P-top(場限環(huán))和場極板的結(jié)構(gòu)等對(duì)擊穿電壓的影響進(jìn)行的分析和探討。本文同時(shí)展示了在TCAD內(nèi)工藝仿真和器件仿真一個(gè)L