基于LDMOS結(jié)構(gòu)的MOSFET研究.pdf

1、隨著超大規(guī)模集成電路的集成化程度不斷提高、元器件尺寸不斷縮小、工作頻率不斷增高和功耗不斷降低，要求元器件供電電源的電壓不斷地降低、工作電流卻不斷增大。MOSFET以其開關(guān)速度高，開關(guān)和驅(qū)動(dòng)損耗低等特點(diǎn)在各種功率變換，特別是在高頻功率變換中扮演著重要角色，同時(shí)也對(duì)擊穿電壓低的MOS管提出了更高的要求。隨著橫向雙擴(kuò)散MOS晶體管(LDMOS)的逐漸發(fā)展，其耐壓高，熱穩(wěn)定性好，頻率穩(wěn)定，更高增益等性能日益突出，LDMOS成為高壓集成電路和功率

2、集成電路的關(guān)鍵技術(shù)，已經(jīng)廣泛應(yīng)用在航空、航天、控制系統(tǒng)、通信系統(tǒng)、武器系統(tǒng)等方面。
　　本文在充分了解及分析國(guó)內(nèi)外功率器件靜電放電和電熱效應(yīng)方面研究現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，提出了基于LDMOS結(jié)構(gòu)的MOSFET器件的方案，在改進(jìn)型的LDMOS結(jié)構(gòu)上，增加了接觸溝道、隔離片，導(dǎo)電漏極帶等制作工藝，通過(guò)仿真模擬，在新方案中的LDMOS器件較好地解決了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中存在的提高器件的反向擊穿電壓會(huì)導(dǎo)致器件的導(dǎo)通電阻增加的矛盾，進(jìn)一步提高元器件的性能和功