cool mosfet與的其他mosfet的區(qū)別

1、CoolMOSFET與的其他MOSFET的區(qū)別MOSFET的發(fā)展大致分為三個階段，第一個階段是采用平面水平溝道的MOSFET，第二個階段是垂直導電型MOSFET（VMOSFET），第三個階段是溝道式柵極MOSFET和CoolMOSFET。1結構上的區(qū)別結構上的區(qū)別平面水平溝道的MOSFET的結構如圖1所示。圖1平面水平溝道的MOSFET它的源極S、漏極D和柵極G都處在硅單晶的同一側，當柵極處于適當正電位時，其二氧化硅層下面的晶體表面區(qū)由

2、P型變?yōu)镹型（反型層），形成N型導電溝道。平面水平溝道的MOSFET在LSI（大規(guī)模集成電路）里得到了廣泛的應用。MOSFET的理論里，要得到大的功率處理能力，要求有很高的溝道寬長比WL，而平面水平溝道的MOSFET的溝道長L不能太小，因此只能增大芯片面積，這很不經濟。所以其一直停留在幾十伏電壓，幾十毫安電流的水平。平面水平溝道的MOSFET的大功率處理能力的低下促使了垂直導電型MOSFET（VMOSFET）的出現，VMOSFET分為V

3、VMOSFET和VDMOSFET兩種結構，比較常用的是VDMOSFET，其結構如圖2、3所示。圖2VVMOSFET結構圖圖5CoolMOSFET結構圖CoolMOSFET則是兩個垂直P井條之間的垂直高摻雜N＋擴散區(qū)域為電子提供了低阻通路，從而降低通態(tài)電阻。較低濃度的兩個垂直P井條主要是為了耐壓而設計的。CoolMOSFET的通態(tài)電阻為普通的VDMOSFET的15，開關損耗因此減為普通的VDMOSFET的12，但是CoolMOSFET固有

4、的反向恢復特性的動態(tài)特性不佳。2主要電氣性能比較主要電氣性能比較CoolMOSFET和其他MOSFET種類繁多，為了能有一個直觀的印象，現對SPP20N60CFD（CoolMOSFET）、IRFP460LC、IRFPC60LC、IXFH40N50進行主要電氣性能比較，見表1。SPP20N60CFDIRFP460LCIRFPC60LCIXFH40N50PolarityNVDS(max)600VRDS(on)(max)0.19Oh(max)

5、20.7AIDpuls(max)52APtot(max)208WVGS(th)(min)3VVGS(th)(max)5VCiss(typ)Crss(typ)Coss(typ)Qg(typ)95nCRthJC(max)0.6KWPackageTO2203表1SPP20N60CFD、IRFP460LC、IRFPC60LC、IXFH40N50主要電氣性能比較從表1可以看出，CoolMOSFET的優(yōu)點是：1、通態(tài)電阻小，通態(tài)損耗小2、同等功率下