基于SiC MOSFET的高性能逆變器的研究.pdf

1、隨著高壓直流輸電的誕生與發(fā)展，電力電子技術(shù)尤其是各種換流技術(shù)也隨之進(jìn)步，人們越來越關(guān)注變換器的功率密度與效率等方面的特性。但是目前而言，電力系統(tǒng)的能耗有很大一部分是損失在電力換流之后，為了應(yīng)對能源緊張的現(xiàn)狀，降低能耗已經(jīng)成為發(fā)展所迫切需求的，于是半導(dǎo)體開關(guān)元件的開發(fā)與選用顯得愈發(fā)的關(guān)鍵。
　　新型碳化硅(Silicon Carbide， SiC)金氧半場效晶體管(metal-oxide-semiconductor field-ef

2、fect transistor，MOSFET)相比于硅基功率開關(guān)器件(Silicon，Si)，具有開關(guān)及導(dǎo)通損耗小、高頻開關(guān)和耐高溫等特性，將在高性能功率變換器中得到快速發(fā)展。
　　本文針對SiC MOSFET進(jìn)行了著重的研究，分析了SiC器件的參數(shù)以及物理特性和電特性，并深入的對基于 SiC-MOSFET的三相逆變器開展研究，首先根據(jù)正弦脈寬調(diào)制（Sinusoidal Pulse Width Modulation，SPWM）下開

3、關(guān)頻率及電流波紋的大小來優(yōu)化設(shè)計(jì)高頻LC濾波器，同時(shí)通過效率分析和熱等效電路來選取散熱器。其次對比分析正弦脈寬調(diào)制、空間矢量脈寬調(diào)制（Space vector pulse width modulation，SVPWM）、不連續(xù)空間矢量脈寬調(diào)制（Dscontinuous space vector pulse width modulation，DSVPWM）三種調(diào)制方式下和不同開關(guān)頻率下的 SiC-MOSFET逆變器波形仿真與效率特性。最后