基于SiC MOSFET的高頻感應(yīng)加熱電源關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、SiC MOSFET是一種剛投入市場工業(yè)應(yīng)用還未成熟的半導(dǎo)體器件，雖然SiC MOSFET一經(jīng)問世就受到了廣泛關(guān)注，但其在實(shí)際工程應(yīng)用中的的開關(guān)特性、靜態(tài)特性及功率損耗等表現(xiàn)還有待進(jìn)一步明確驗(yàn)證，在工程實(shí)踐前采用仿真軟件對其電源電路工作特性、效率等進(jìn)行分析和評估是極為必要的。為了給下文的超高頻感應(yīng)加熱電源關(guān)鍵技術(shù)研究奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，本文通過對SiC MOSFET的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)的研究，以廠家提供的內(nèi)部模型程序?yàn)榛A(chǔ)對其結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵參

2、數(shù)進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)，采用PSpice仿真軟件建立SiC MOSFET的精確模型，模型中引入溫控電壓源、電壓控制開關(guān)、具有精確數(shù)學(xué)函數(shù)關(guān)系的電阻、電容等PSpice子電路對SiC MOSFET關(guān)鍵參數(shù)的設(shè)置進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)，使模型可精確仿真器件的實(shí)際工作特性。并搭建動、靜態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺對模型的正確性、有效性進(jìn)行驗(yàn)證。為將SiC MOSFET進(jìn)一步應(yīng)用于工程實(shí)踐，驗(yàn)證其工業(yè)推廣價(jià)值，本文著重分析研究了高頻感應(yīng)加熱電源設(shè)計(jì)中的整流器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、逆變器