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1、目前,在大功率超音頻以上感應(yīng)加熱電源中一般有IGBT和MOSFET兩種器件可供選擇。國(guó)內(nèi)外在100kHz以上的固態(tài)高頻感應(yīng)加熱電源大都采用功率MOSFET器件。由于MOSFET一般單管功率比較小。而功率等級(jí)很高的IGBT的開(kāi)關(guān)損耗大,特別是電流拖尾的存在,使IGBT在高頻狀態(tài)下的關(guān)斷損耗很大,很大程度上限制了其工作頻率?;谶@種情況,本文以IGBT為功率開(kāi)關(guān)器件,采用時(shí)間分割的方式,能在開(kāi)關(guān)器件頻率不變的情況下實(shí)現(xiàn)電源的高頻化:若N個(gè)橋
2、并聯(lián),采用分時(shí)控制的方式分時(shí)工作,則單橋的工作頻率能夠降低到系統(tǒng)頻率的1/N。這樣,既能降低開(kāi)關(guān)管的損耗,又能提高效率,并能簡(jiǎn)化電源的結(jié)構(gòu),使控制更加簡(jiǎn)單。另外,針對(duì)感應(yīng)加熱系統(tǒng)參數(shù)的非恒定性,本文研究了采用全數(shù)字鎖相環(huán)的頻率跟蹤方式并在FPGA中進(jìn)行設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn),保證感應(yīng)加熱電源的高效運(yùn)行。
本文在深入分析感應(yīng)加熱電源主電路結(jié)構(gòu)及控制方案的基礎(chǔ)上,選擇不控整流加Buck斬波調(diào)功的串聯(lián)諧振感應(yīng)加熱電源進(jìn)行研究設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。并建立了
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