4H-SiC埋溝MOSFET的高頻小信號(hào)特性研究.pdf

1、SiC材料具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)良特性，這些特性決定了它在高溫、大功率、高頻和抗輻照等方面的有著廣泛的應(yīng)用前景。但是SiC MOS器件由于受SiO<,2>/SiC界面處高濃度的界面態(tài)的影響，MOS器件反型層中的電子遷移率很低。為此，本文研究了4H-SiC埋溝MOSFET,這是一種新型結(jié)構(gòu)的MOSFET，它把導(dǎo)電溝道從表面移到體內(nèi)，可以大大減小界面態(tài)對(duì)溝道載流子遷移率的影響。 論文分析了埋溝

2、MOSFET的基本工作模式，并且給出了各模式下的電流電壓特性。然后以4H-SiC材料特性參數(shù)為基礎(chǔ)，建立了4H-SiC埋溝MOSFET的直流分析模型。在直流分析的基礎(chǔ)上，利用正弦穩(wěn)態(tài)分析的方法對(duì)4H-SiC埋溝MOSFET的高頻小信號(hào)特性進(jìn)行了模擬，并與常規(guī)MOSFET進(jìn)行對(duì)比，模擬結(jié)果顯示了埋溝MOSFET在高頻應(yīng)用中的優(yōu)越性。接著分析了不同偏置條件和各種結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)4H-SiC埋溝MOSFET截止頻率的影響，以及它們?nèi)≈禃r(shí)必須考慮的制