埋柵-埋溝4H-SiC MESFET特性模擬研究.pdf

1、SiC材料由于具有大的禁帶寬度、高的臨界擊穿電場、高的電子飽和速度以及高的熱導率等性能，在高溫、高功率、抗輻照等工作條件下具有明顯的優(yōu)勢，成為近幾年半導體領域研究的熱點，并在能源、交通、通信和國防領域具有廣闊和特殊的應用前景。但目前，碳化硅MESFET的優(yōu)勢還沒有充分發(fā)揮。主要原因之一是界面態(tài)引起的電流不穩(wěn)定性，另外，來自襯底陷阱效應也對器件的功率及頻率特性造成負面影響。 最近，隨著工藝水平的提高，表面態(tài)和襯底陷阱效應這一問題有

2、望通過改進器件結構加以解決。本論文研究的埋柵一埋溝4H-SiC MESFET新型器件結構是利用工藝手段將柵極底部埋入導電溝道內(nèi)部中，并在其導電溝道上部加入一層緩沖層。它可以減小本來存在于MESEFT器件溝道內(nèi)部由表面陷阱所引起的耗盡層而帶來的影響。 利用ISE軟件建立了埋柵一埋溝4H-SiC MESFET模型，并對其電學特性進行了模擬仿真。其模擬結果表明：埋柵-埋溝4H-SiC MESFET器件結構的最大飽和漏電流密度達410μ