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文檔簡介
1、碳化硅（SiC）由于具有禁帶寬度大、臨界位移能高、熱導率高等優(yōu)點而成為制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料。4H-SiC MESFET作為一種微波功率器件，越來越受到人們的重視，國內(nèi)外的許多科研機構(gòu)已經(jīng)相繼展開了從器件結(jié)構(gòu)到工藝實驗等各方面的研究。
本文重點圍繞4H-SiC MESFET的新型結(jié)構(gòu)優(yōu)化設計、關(guān)鍵工藝以及器件制備等方面展開工作。首先對4H-SiC MESFET的溝道層和緩沖層進行了設計，確
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