SiC高功率MOSFET實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、碳化硅以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性以及電學(xué)特性成為制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的一種最具優(yōu)勢的半導(dǎo)體材料。采用SiC材料制造出的各種類型的MOS器件在耐壓指標(biāo)、溫度指標(biāo)上都達(dá)到了硅MOS器件無法達(dá)到的水平。隨著SiC工藝的日趨成熟，多種SiC功率MOS器件已經(jīng)實(shí)現(xiàn)，但是由于高溫?zé)嵬嘶鸸に囁斐傻腟iO2/SiC界面粗糙以及高的界面態(tài)密度使得反型層溝道電子遷移率非常小，嚴(yán)重影響了器件的性能。為了制造出性能良好的SiC VDMOS器件，就必須

2、改善SiO2/SiC的界面特性。
　　 首先我們選用了一種結(jié)構(gòu)和工藝步驟相對簡單的SiC VDMOS結(jié)構(gòu)。確定了該VDMOS的整個(gè)器件參數(shù)，并通過TRIM仿真軟件對Pwell區(qū)、N+源區(qū)和P+區(qū)進(jìn)行了離子注入仿真。
　　 然后通過ISE-TCAD器件仿真工具對該器件的性能進(jìn)行仿真。其中包括：近表面附加散射機(jī)制以及界面態(tài)密度對遷移率的影響，界面態(tài)密度對器件的開啟特性的影響。得出結(jié)論：當(dāng)器件的界面態(tài)密度大于1×1012eV-