基于硅基工藝的射頻ldmos器件的研究與設(shè)計

1、分類號學(xué)號M201172099學(xué)校代碼10487密級碩士學(xué)位論文碩士學(xué)位論文基于硅基工藝的射頻基于硅基工藝的射頻LDMOS器件的研究與設(shè)計器件的研究與設(shè)計學(xué)位申請人：沈亞丁學(xué)科專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：陳曉飛副教授答辯日期：學(xué)位申請人：沈亞丁學(xué)科專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：陳曉飛副教授答辯日期：2014年1月17日萬方數(shù)據(jù)獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下進行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，

2、除文中已標(biāo)明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果。對本文的研究做出貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。學(xué)位論文作者簽名：年月日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)華中科技大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進