硅基功能薄膜與器件的研究.pdf

1、多孔硅由于其高的孔密度和大的比表面積，被認(rèn)為是一種具有特殊用途的載體而廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域。本論文前部分工作主要研究了以多孔硅(PS)為襯底的磁性Fe膜在結(jié)構(gòu)、表面形貌和磁性方面的一些特有性質(zhì)，證明了磁性Fe膜的矯頑力在一定范圍內(nèi)可由PS襯底表面形貌的粗糙程度來自由調(diào)節(jié)，這在磁記錄及磁存儲領(lǐng)域具有重要的意義；本論文的后部分工作主要是在PS分布Bragg反射鏡(PS-DBR)上制備硅基微腔的有機(jī)發(fā)光二極管，研究了有微腔的有機(jī)發(fā)光器件(MC-O

2、LEDs)與常規(guī)硅基OLEDs在光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)上的不同，發(fā)現(xiàn)微腔器件電致發(fā)光(EL)的色純性較之常規(guī)硅基OLEDs得到較大提高，且為單峰發(fā)射。相對于非微腔器件的EL譜，MC-OLEDs的EL譜在諧振波長處的強(qiáng)度也提高了很多。該MC-OLEDs的電流-亮度-電壓(I-B-V)特性與常規(guī)OLEDs類似，其開啟電壓和所得亮度與常規(guī)OLEDs的也可比。 本論文的主要工作如下： 前部分工作： (1)采用陽極電化學(xué)腐蝕法制備

3、多孔硅襯底； (2)通過磁控濺射法分別在多孔硅和單晶硅襯底上沉積一定厚度的鐵膜； (3)分別用X射線衍射儀、掃描隧道顯微鏡和磁光科爾效應(yīng)來研究樣品的結(jié)構(gòu)、表面形貌及其磁學(xué)性質(zhì)，通過對比和理論分析得出預(yù)期的結(jié)論。 后部分工作： (1)利用計算機(jī)控制的電化學(xué)脈沖腐蝕法制備硅基PS-DBR； (2)采用磁控濺射法在此硅基的PS-DBR結(jié)構(gòu)上制備分離正、負(fù)電極的電隔離層SiO2薄膜，之后換掩膜板用于制備I