60W800MHz-900MHz射頻LDMOS器件結構中場極板的設計.pdf

1、隨著射頻集成電路的迅速發(fā)展，射頻功率器件在個人消費電子、移動基站及軍用雷達等無線通訊設備上的需求與日俱增。由于現(xiàn)有的射頻功率器件大都存在工藝復雜、造價昂貴的缺點，所以迫切需要一種工藝簡單、造價低廉且易于集成的射頻功率器件來滿足市場需求。
　　 由于橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件LDMOS具有高線性度及高功率增益等優(yōu)異的射頻性能，且與標準CMOS工藝兼容，其在射頻功率電路中的應用越來越廣泛。本文主要對60W工作在800MHz-90

2、0MHz頻段的射頻LDMOS器件中的場極板結構進行了研究設計。針對現(xiàn)有柵場極板結構LDMOS器件的不足，本文提出階梯淺溝槽隔離結構LDMOS器件。利用器件模擬軟件Silvaco對影響器件電學性能的關鍵結構參數(shù)，如場極板及溝槽工藝尺寸等進行了優(yōu)化設計。仿真結果表明，該結構器件在大幅提高器件擊穿電壓的同時，能夠保持寄生電容及截止頻率基本不變。
　　 本文還重點設計了金屬源場極板結構LDMOS器件，給出了影響器件射頻性能的寄生電容模型