射頻LDMOS內(nèi)匹配技術(shù)研究.pdf

1、隨著現(xiàn)代通信技術(shù)發(fā)展，對(duì)微波功率器件要求越來越高。RF-LDMOS是近年發(fā)展起來的微波功率器件，但是由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢(shì)，RF-LDMOS從眾多微波功率器件中脫穎而出。為了滿足移動(dòng)通信基站和軍事雷達(dá)的需求，RF-LDMOS向著更高工作頻率、更大輸出功率方向發(fā)展。但是，隨著工作頻率提高，各種寄生參數(shù)影響已再無法忽略。RF-LDMOS采用多柵指或多胞并聯(lián)技術(shù)來增大輸出功率，這就有可能因加工工藝、加工材料造成柵指之間或胞與胞之間信號(hào)傳輸

2、不一致，致使能量損耗增加，甚至燒毀器件。還有隨著柵寬增加，輸入輸出端阻抗會(huì)逐漸降低，輸入輸出阻抗過低會(huì)給外匹配電路設(shè)計(jì)增加難度。而采用內(nèi)匹配技術(shù)可有效解決這些問題。在此背景下，提出對(duì)RF-LDMOS內(nèi)匹配技術(shù)進(jìn)行研究。
　　本文主要圍繞工作頻率為1.2GHz-1.4GHz RF-LDMOS內(nèi)匹配技術(shù)展開研究。通過查閱文獻(xiàn)，了解到國(guó)內(nèi)外內(nèi)匹配技術(shù)發(fā)展情況及其具體設(shè)計(jì)方法。在進(jìn)行內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)之前，必須確定管芯輸入輸出端阻抗。射頻大信

3、號(hào)模型雖然相對(duì)準(zhǔn)確，但是短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)建模比較困難。負(fù)載牽引技術(shù)更多地是測(cè)試已匹配封裝的RF-LDMOS器件。On Wafer測(cè)試主要應(yīng)用于小柵寬器件。綜合各方面情況，最終選擇基于小信號(hào)S參數(shù)理論，通過提參去嵌求出無匹配封裝RF-LDMOS管芯S參數(shù)，然后在進(jìn)行設(shè)計(jì)內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)。為了更好地實(shí)現(xiàn)去參，利用HFSS軟件對(duì)封裝管殼、鍵合引線、MOS電容進(jìn)行建模仿真。
　　最后，根據(jù)匹配電路設(shè)計(jì)理論，結(jié)合RF-LDMOS工作環(huán)境，選擇合適內(nèi)匹