硅基在片電感射頻模型的研究.pdf

1、無(wú)源器件尤其是電感是射頻集成電路中至關(guān)重要的器件。先進(jìn)的射頻CMOS工藝已經(jīng)能在片集成無(wú)源器件。在片無(wú)源器件能有效減小封裝寄生參數(shù)，提高電路穩(wěn)定性和性能，因此其應(yīng)用已經(jīng)成為一種趨勢(shì)。但是在片無(wú)源器件仍然面臨著嚴(yán)重的挑戰(zhàn)，一方面射頻電路對(duì)在片無(wú)源器件的性能要求越來(lái)越高(如高品質(zhì)因子的電感)，此外，如何實(shí)現(xiàn)高精度、寬帶、并具有很好的可重復(fù)性從而盡量降低建模過(guò)程中對(duì)工程師的經(jīng)驗(yàn)依靠的模型，已經(jīng)是射頻電路設(shè)計(jì)的一個(gè)重大課題。 目前無(wú)源器

2、件建模方法主要包括電磁場(chǎng)仿真方法，等效電路物理模型方法，以及基于測(cè)量數(shù)據(jù)的等效電路參數(shù)提取方法(簡(jiǎn)稱(chēng)參數(shù)提取法)等。其中，基于參數(shù)提取的建模方法是集成電路工業(yè)界的首選，因?yàn)樵摲椒ň雀撸移涞刃щ娐纺Ｐ团cSPICE類(lèi)型的電路仿真器完全兼容，能進(jìn)行時(shí)域，頻域甚至噪聲分析。 傳統(tǒng)上，參數(shù)提取主要采用迭代擬合優(yōu)化的方法，比如遺傳算法，指數(shù)下降算法，最小二乘算法等。這種方法的一個(gè)根本性缺陷是收斂性問(wèn)題，如果初始值選取不當(dāng)，將會(huì)產(chǎn)生多值