硅基螺旋電感和GaAs HEMT建模研究.pdf

1、近年來，無線通信市場的飛速發(fā)展對小型化、低功耗、低成本、高性能的收發(fā)機提出了大量的需求，使得射頻集成電路越來越受到人們的重視，成為當(dāng)今科技研究的熱點。本文圍繞射頻集成電路中應(yīng)用的無源硅基片上螺旋電感和有源器件砷化鎵高電子遷移率晶體管進行了相關(guān)的研究，得到了一些新的結(jié)果和新的建模方法。主要的研究內(nèi)容和結(jié)果摘要如下：
　　 本文在經(jīng)典的雙π物理模型的基礎(chǔ)上，考慮硅基襯底磁性耦合，得到了一個改進的RLC等效電路模型，并將實測數(shù)據(jù)和模型

2、擬合結(jié)果進行比較，對模型進行了驗證。
　　 本文在砷化鎵高電子遷移率晶體管的直流Ⅰ-Ⅴ建模研究中，采用了參數(shù)擬合的思路，對Angelov模型和電熱大信號模型分別進行了修正。得到的改進模型沿用了原來模型中的Ⅰ-Ⅴ函數(shù)形式，但對其參數(shù)進行了調(diào)整。通過驗證，得出新模型的準確性。另外，建模的過程中需要進行必要的數(shù)據(jù)處理，包括有限差分逼近求導(dǎo)和數(shù)據(jù)平滑。
　　 最后，本文還討論了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在射頻器件建模中的應(yīng)用。神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)作為一種快速