AlGaAs-GaAs HEMT電磁脈沖損傷機理研究.pdf

1、電磁脈沖是一種瞬變電磁現(xiàn)象，它具有電場強度高、上升時間短、攜帶能量大等特點，因而對電子系統(tǒng)和電子元器件構(gòu)成了嚴重的威脅。高電子遷移率晶體管(HEMT)作為新一代微波及毫米波器件，經(jīng)過十幾年的發(fā)展，已經(jīng)成為微波混頻器、振蕩器和寬帶行波放大器的核心部件，所以有必要從理論上研究HEMT器件在電磁脈沖作用下的損傷效應與機理。
　　 本文利用器件仿真軟件ISE TCAD建立了AlGaAs/GaAs HEMT的仿真模型，在此基礎(chǔ)上分別研究了

2、器件在階躍脈沖信號和正弦信號作用下的損傷效應。二維仿真結(jié)果的對比研究表明，在兩種不同的輸入電壓信號作用下，器件的熱損傷區(qū)域都是柵極和漏極之間的器件表層。在階躍脈沖信號作用下，通過數(shù)值計算得到了器件損傷能量閾值與燒毀時間的關(guān)系，同時還研究了不同外置電路對器件損傷效應的影響。在正弦信號作用下，數(shù)值計算結(jié)果表明器件在電壓的負半周期升溫更快也更容易燒毀。
　　 本文的研究工作為HEMT器件的損傷評估與加固提供了一定的理論基礎(chǔ)，也為相關(guān)方