基于GaAs HEMT的低噪聲放大器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、本文對(duì)基于GaAs HEMT的X波段的低噪聲放大器的電路設(shè)計(jì)、電路仿真、版圖設(shè)計(jì)以及電路的測(cè)試、調(diào)試進(jìn)行了探討，研究了基于GaAs HEMT的低噪聲放大器的特性和CAD設(shè)計(jì)優(yōu)化技術(shù)，設(shè)計(jì)了匹配電路，偏置電路，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，基本上實(shí)現(xiàn)了低噪聲、高增益的要求。 本研究首先闡述了基于GaAs HEMT低噪聲放大器的一些相關(guān)理論，如：二端口網(wǎng)絡(luò)、傳輸線的分類、微帶線的特點(diǎn)以及噪聲等的相關(guān)理論；分析了微波放大器常用的幾種電路形式，針對(duì)本課題研

2、究的寬帶低噪聲放大器選擇了平衡型結(jié)構(gòu)的電路形式；通過(guò)分析二端口網(wǎng)絡(luò)的低噪聲和寬帶匹配理論，得出兩級(jí)匹配網(wǎng)絡(luò)的低噪聲和高增益匹配設(shè)計(jì)形式。該低噪聲放大器工作頻率在8-12GHz，采用兩級(jí)放大的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)軟件采用ADS系統(tǒng)，對(duì)輸入匹配、級(jí)間匹配和輸出匹配設(shè)計(jì)了針對(duì)性地匹配網(wǎng)絡(luò)，每一級(jí)放大根據(jù)設(shè)計(jì)的結(jié)果，針對(duì)噪聲系數(shù)、增益和輸入輸出駐波比一同進(jìn)行優(yōu)化，待每一級(jí)設(shè)計(jì)達(dá)到指標(biāo)要求，再進(jìn)行兩級(jí)電路的級(jí)聯(lián)優(yōu)化。隨后，根據(jù)HEMT LNA的特性，設(shè)