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文檔簡介
1、SiGe工藝具有優(yōu)異的射頻性能，更由于其較高的性價比，被廣泛應(yīng)用于移動通信、衛(wèi)星定位和RFID等市場；SiGe工藝還可以與常規(guī)的數(shù)字模擬電路相集成，制造出功能完整的SoC芯片。目前采用SiGe材料制作射頻集成電路已成為國際上的研究熱點。 隨著無線電應(yīng)用越來越廣泛，使用的帶寬和頻率也越來越高，因此寬帶、超寬帶的無線電應(yīng)用研究具有重要意義，本論文正是基于先進(jìn)的SiGe工藝，對寬帶、超寬帶無線應(yīng)用中的關(guān)鍵模塊——寬帶低噪聲放大器進(jìn)行研
2、究、設(shè)計，制造出高性能的RFIC芯片。 本論文在參考大量相關(guān)文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，對寬帶低噪聲放大器的各種設(shè)計方法進(jìn)行了深入分析和研究，詳細(xì)比較了各種傳統(tǒng)和新型的寬帶低噪聲放大器電路結(jié)構(gòu)，在此基礎(chǔ)上采用新穎的電路結(jié)構(gòu)設(shè)計了兩款帶寬超過3倍頻程的寬帶低噪聲放大器芯片，達(dá)到了優(yōu)異的性能指標(biāo)。 采用新型帶通濾波器匹配技術(shù)設(shè)計的800M-2.4GHz寬帶低噪聲放大器芯片，在寬頻帶內(nèi)實現(xiàn)了2.1dB～3dB的噪聲系數(shù)和17dB的平坦增益，
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