寬帶低噪聲放大器設計方法與實現(xiàn)方法的研究.pdf

1、隨著無線通信技術的廣泛應用,數(shù)據(jù)傳輸速率越來越大,用戶所使用的頻率越來越高,頻帶越來越寬,射頻寬帶電路的設計已經(jīng)成為研究的熱點。本論文研究的重點就是寬帶低噪聲放大器的設計與實現(xiàn),論文從寬帶低噪聲放大器的電路結構設計、放大器的電路板級和芯片級三個方面探討了寬帶低噪聲放大器的設計方法和實現(xiàn)方法。 在寬帶低噪聲放大器電路結構設計方面,結合兩款寬帶放大器的設計,提出了兩種增強寬頻帶內(nèi)穩(wěn)定性的具體方法,其中一款的指標為帶寬1GHz到4GH

2、z,噪聲系數(shù)在2.6dB到2.8dB之間,單級增益在10dB以上；另一款的指標為帶寬為3.1GHz-6GHz,增益在12dB以上,S11和S22都在-15dB以下,S12低于-20dB,放大器的噪聲系數(shù)在1.3-1.7dB之間,并且兩款放大器在通帶內(nèi)都無條件穩(wěn)定,在設計過程中,本文詳細的分析了設計時應考慮的各種問題,并且給出了具體的電路設計過程。 在放大器的板級實現(xiàn)的研究里,本文成功地設計了并制作了一款頻率從0.8G到3.5GH

3、z,增益在10dB以上,噪聲系數(shù)在2dB到3dB的寬帶低噪聲放大器的電路板。在這個設計實例中,加入了電磁仿真,電磁仿真與原理圖聯(lián)合仿真,保證在制版之前得到與實際情況符合的仿真結果。最后總結出了射頻低噪聲放大器電路板的快速的并且精確的實現(xiàn)方法。 在放大器芯片級實現(xiàn)方面,本文探討了射頻無源器件在芯片上的實現(xiàn)方法,并且列出了一些估算射頻無源器件值的方法,同時結合了Jazz SBC35硅鍺工藝庫給出了在低噪聲放大器芯片設計中射頻晶體管單