基于CMOS工藝的超寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì).pdf

1、近年來，無線通訊和CMOS工藝得到了很大發(fā)展，射頻集成電路可以用CMOS工藝來實(shí)現(xiàn)。在各種無線通訊新技術(shù)中，超寬帶技術(shù)(Ultra-Wide Band,UWB)以其高速率、低功耗的特點(diǎn)受到無線通訊學(xué)術(shù)界的廣泛重視，是一種具有巨大發(fā)展?jié)摿Φ男录夹g(shù)。低噪聲放大器是無線接收機(jī)的第一級(jí)，其良好性能保證了射頻前端的正常工作。研究基于CMOS工藝的超寬帶低噪聲放大器，具有重要理論與實(shí)踐意義。
　　 本文首先對(duì)超寬帶低噪聲放大器的研究現(xiàn)狀和C

2、MOS集成電路的特點(diǎn)作了論述。其次，分析了幾種常見的輸入匹配電路，比較了各電路的優(yōu)缺點(diǎn)，研究設(shè)計(jì)了巴特沃斯濾波器作為輸入匹配電路。共源共柵結(jié)構(gòu)具有增益大，密勒效應(yīng)小，結(jié)構(gòu)簡單等優(yōu)點(diǎn)，本文決定將其作為電路主放大結(jié)構(gòu)，然后用基于功耗限制的噪聲優(yōu)化理論推導(dǎo)出了輸入MOS管的最優(yōu)尺寸，并采用級(jí)間匹配結(jié)構(gòu)來提高增益降低噪聲。為滿足寬帶需要，電路設(shè)計(jì)采用了電容耦合負(fù)載電路。本文還分別設(shè)計(jì)了電壓偏置電路和電流源電路，以促進(jìn)低噪聲放大器的性能最優(yōu)化。<