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文檔簡(jiǎn)介
1、磷化銦高電子遷移率晶體管（InP HEMT）具有高電子遷移率、優(yōu)良的噪聲性能和良好的抗輻射特性等優(yōu)點(diǎn)，非常適合制作低噪聲放大器，現(xiàn)在已經(jīng)逐步發(fā)展為MMIC甚至TMIC領(lǐng)域中一個(gè)非常有競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)。本文做了如下工作：
1、介紹了太赫茲單片低噪聲放大器的最新進(jìn)展，簡(jiǎn)要分析了InP HEMT的器件特性以及相關(guān)工藝，并對(duì)在片測(cè)試技術(shù)進(jìn)行了簡(jiǎn)要的介紹，包括幾種常用的二端口校準(zhǔn)技術(shù)以及二端口去嵌技術(shù)。根據(jù)器件在片測(cè)試結(jié)果，建立小信號(hào)等效電
2、路模型以及噪聲等效電路模型，設(shè)計(jì)了一款太赫茲單片低噪聲放大器。設(shè)計(jì)過程包括電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的選取，偏置電路和匹配電路的設(shè)計(jì)，電路的仿真與優(yōu)化，最后在版圖調(diào)整規(guī)則下確定了電路版圖。
2、利用國內(nèi)自主研發(fā)的0.1μm InP HEMT工藝對(duì)太赫茲單片低噪聲放大器進(jìn)行了流片、測(cè)試及結(jié)果分析。在Vd=1.7V，Vg=0V偏置條件下，低噪聲放大器小信號(hào)增益在101.3~106.1GHz內(nèi)大于5dB，在104GHz處達(dá)到最大增益7.007dB
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