Ku波段單片低噪聲放大器研究.pdf

1、本文對(duì)Ku波段13.5～14.5GHz單片低噪聲放大器的設(shè)計(jì)進(jìn)行了研究，給出了單片低噪聲放大器的設(shè)計(jì)原理和設(shè)計(jì)方法。并對(duì)電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn)，提出了一種新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，很好的改善了電路的性能。 本文設(shè)計(jì)的單片低噪聲放大器采用片內(nèi)匹配的三級(jí)電路實(shí)現(xiàn)，選用0.25umpHEMT 砷化鎵工藝。整個(gè)電路的輸入級(jí)按最小噪聲匹配進(jìn)行設(shè)計(jì)，級(jí)間和輸出端均匹配到50歐姆。作者首先使用了傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)MMIC低噪聲放大器的方法進(jìn)行設(shè)計(jì)。在電路的源級(jí)

2、增加電感串聯(lián)負(fù)反饋增加電路的穩(wěn)定性，使輸入匹配變的更加容易實(shí)現(xiàn)。然后采用三級(jí)相同的結(jié)構(gòu)直接進(jìn)行級(jí)聯(lián)實(shí)現(xiàn)這種低噪放芯片。針對(duì)傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法的缺點(diǎn)，作者試驗(yàn)了多種反饋網(wǎng)絡(luò)形式，找到了一種新的改善電路性能的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這種方法保持第一級(jí)放大電路設(shè)計(jì)不變，然后在第二級(jí)和第三級(jí)電路的源極增加由電容和電阻串聯(lián)構(gòu)成的反饋網(wǎng)絡(luò)。從電路仿真結(jié)果來(lái)看，這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在保持電路噪聲基本不變的前提下，很好的改善了電路的增益平坦度和輸入輸出駐波比，使電路的增益平坦度限