2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、隨著設計水平和應用要求的不斷提高,無線通信系統(tǒng)向著小型化和集成化方向發(fā)展。片上系統(tǒng)(System on Chip,SoC)成為業(yè)界焦點。近年來,SiGe BiCMOS片上系統(tǒng)的全集成設計己成為國內(nèi)外學術(shù)界和工業(yè)界研究的熱點。 基于Ku波段的數(shù)字電視衛(wèi)星廣播(DVB-S)地面接收機,本文研究了工作頻率在12.25GHz-12.75GHz的射頻前端單元電路低噪聲放大器(LNA)和有源雙平衡混頻器(active double-bala

2、nce Mixer),并在此基礎上采用JAZZ 0.35μm SiGeBiCMOS工藝實現(xiàn)了流片,為以后實現(xiàn)Ku波段DVB-S接收系統(tǒng)的單片化集成做好技術(shù)儲備。 本文先介紹了SiGe BiCMOS射頻集成電路的發(fā)展背景及其國內(nèi)外動態(tài),然后簡單介紹了JAZZ 0.35μm SiGe BiCMOS工藝元件以及元件模型與電路設計的關(guān)系,再分別詳細論述了低噪聲放大器和有源雙平衡混頻器的基本設計原理和具體設計過程,其中包括指標的確定、電路

3、的仿真和版圖的優(yōu)化設計。最后對所做的設計工作做一個總結(jié)。 所設計的低噪聲放大器在12.25GHz-12.75GHz寬頻帶內(nèi)實現(xiàn)了3.75dB~3.9dB的噪聲系數(shù)和15dB的平坦增益,輸入輸出匹配S<,11>S<,22>優(yōu)于-10dB,而功耗僅為19.2mW,面積為0.7×0.7m<'2>。 所設計的混頻器在12.25GHz-12.75GHz寬頻帶內(nèi)僅以36mW功耗和0.9×0.9m<'2>的芯片面積實現(xiàn)了低于6.5dB

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