ku波段低溫低噪聲放大器設(shè)計(jì)_隔離器

1、Ku波段低溫低噪聲放大器設(shè)計(jì)波段低溫低噪聲放大器設(shè)計(jì)_隔離器隔離器在微波通訊系統(tǒng)中，接收機(jī)噪聲特性的優(yōu)劣是決定系統(tǒng)接收靈敏度的重要因素，而接收前端的低噪聲放大器（LNA）是影響接收系統(tǒng)噪聲指標(biāo)的關(guān)鍵部件，其噪聲特性將直接影響系統(tǒng)整體的噪聲水平[1]。低溫下工作的Ku波段放大器具有極低的噪聲特性，在微波通信、衛(wèi)星通信、天文觀測(cè)等領(lǐng)域中都具有非常重要的應(yīng)用。當(dāng)前Ku低溫低噪聲放大器的研究工作只有少量報(bào)道，性能尚不能達(dá)到實(shí)際使用的要求。本文設(shè)

2、計(jì)并制作了一個(gè)Ku波段低溫低噪聲放大器隔離器，旨在與高溫超導(dǎo)濾波器級(jí)聯(lián)，使用在高溫超導(dǎo)濾波子系統(tǒng)之中[2]。該LNA采用插指電容新結(jié)構(gòu)，使用ADS軟件仿真優(yōu)化性能，并通過(guò)優(yōu)化的封裝工藝制備了LNA樣品論文網(wǎng)站。在77K溫度下測(cè)試結(jié)果表明，噪聲系數(shù)小于2dB，增益約10dB，反射系數(shù)小于20dB。該LNA已與Ku波段超導(dǎo)濾波器成功級(jí)聯(lián)。2、低溫低噪聲放大器的仿真設(shè)計(jì)2.1器件選擇Ku波段LNA要求選用具有低噪聲特性的晶體管，而高電子遷移率

3、場(chǎng)效應(yīng)管(HEMT)是新型的具有低噪聲優(yōu)點(diǎn)的一類晶體管，符合設(shè)計(jì)要求。通過(guò)晶體管性能分析并綜合設(shè)計(jì)需要，選取了NEC公司的某一HEMT產(chǎn)品，其理論常溫噪聲系數(shù)高至18GHz只有0.75dB。低損耗的PCB基板是研制Ku波段LNA的另一重要材料。在ADS中，有其自身設(shè)計(jì)的穩(wěn)定系數(shù)Mu，只要Mu1就實(shí)現(xiàn)了絕對(duì)穩(wěn)定。在ADS中對(duì)我們選用的HEMT晶體管進(jìn)行仿真，圖1給出了其全頻帶Mu值，可以發(fā)現(xiàn)其全頻帶Mu1，也就是全頻帶絕對(duì)穩(wěn)定，因此在設(shè)計(jì)