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1、近年來(lái),大量的片上電感研究成果不斷涌現(xiàn),片上多層電感作為一種新型的電感結(jié)構(gòu),對(duì)于實(shí)現(xiàn)低功耗和小面積的芯片有著積極作用,然而現(xiàn)今對(duì)片上多層電感的參數(shù)和干擾分析的研究并不是很充分。
為了解決上述問(wèn)題,本文提出了一個(gè)利用片上多層電感的物理模型來(lái)精確計(jì)算直流電感參數(shù)的方法。在這個(gè)物理模型中,所有的電感尺寸參數(shù)(包括金屬層厚度和層間間距)都被考慮到。本文利用此方法計(jì)算了一系列完整的具有不同尺寸參數(shù)的片上多層電感的電感值和它們之間的耦合系
2、數(shù)(計(jì)算值),同時(shí),在ADSmomentum中通過(guò)EM仿真得出片上多層電感的電感值和電感間的耦合系數(shù)(仿真值),通過(guò)比較計(jì)算值和仿真值的誤差來(lái)驗(yàn)證這個(gè)方法的準(zhǔn)確性。結(jié)果表明,電感值的計(jì)算值和仿真值之間的誤差通常在3%以內(nèi),而耦合系數(shù)的計(jì)算值和仿真值之間的誤差通常在2%以內(nèi)。這說(shuō)明本文中利用片上多層電感的物理模型來(lái)計(jì)算電感參數(shù)的方法具有較高精度,適用于片上多層電感的分析和設(shè)計(jì)。另外,由于這個(gè)方法基于物理模型的特性,它是可以擴(kuò)展的。
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