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1、基準(zhǔn)電壓源是模擬集成電路中的基本單元，它在SOC、ADC、DAC、傳感器和通信電路以及存儲器等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用?；鶞?zhǔn)源的目的是向后續(xù)電路提供穩(wěn)定的、不隨外界因素(主要是電源電壓和環(huán)境溫度)影響的電壓，它的輸出是直流值。在基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計中，如何實現(xiàn)高精度、低溫度系數(shù)是一大難點。對于基準(zhǔn)電壓源來說,目前公認(rèn)的性能比較好的是帶隙基準(zhǔn)電壓源，所謂的帶隙基準(zhǔn)電壓源是指其輸出電壓在1.25V左右，這個值和硅的能帶隙相當(dāng)，故稱其為帶隙基準(zhǔn)源。
2、 本文概述了基準(zhǔn)電壓源的發(fā)展歷史，現(xiàn)狀和趨勢，指出了本課題的研究意義。闡述了設(shè)計中相關(guān)的器件理論與工藝模型，對CMOS工藝下的兩種有源器件，即亞閾值工作狀態(tài)下的金屬場效應(yīng)晶體管(MOSFET)及襯底PNP雙極型晶體管(BJT)的溫度模型及其影響因素進行了分析和比較，指明襯底 PNP雙極型晶體管更適合作為基準(zhǔn)電壓源的溫度補償元件。分析了帶隙基準(zhǔn)電壓源的基本原理，在比較了幾種常用的帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，對集成穩(wěn)壓器件中基準(zhǔn)電壓源的一
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