低壓低溫漂CMOS基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì).pdf

1、基準(zhǔn)電壓源被廣泛使用在模擬、數(shù)字和數(shù)?；旌闲盘?hào)的系統(tǒng)中，它為整個(gè)系統(tǒng)提供精準(zhǔn)的參考電壓，其性能至關(guān)重要。隨著集成電路工藝尺寸的進(jìn)一步減小和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的普及，實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)電壓源在低電源電壓環(huán)境下的低溫漂工作尤其重要。
　　 本文分別基于CSMC-0.5μm亞微米工藝和SMIC-0.13μm深亞微米工藝，利用工作在亞閾值區(qū)的MOSFET設(shè)計(jì)CMOS基準(zhǔn)電壓源，在保證低壓低溫漂兩個(gè)指標(biāo)的前提下，兼顧其它相關(guān)指標(biāo)。本文首先概述了基準(zhǔn)電壓

2、源的技術(shù)指標(biāo)、溫度補(bǔ)償原理和降低其正常工作的電源電壓的途徑。其次，提出了一種基于峰值電流鏡的偏置電路，利用該電路分別設(shè)計(jì)了兩款亞閾值型的CMOS基準(zhǔn)電壓源。其中，方案一利用不同電阻的組合來(lái)對(duì)MOS管柵-源電壓隨溫度變化的高階項(xiàng)進(jìn)行補(bǔ)償，但電源電壓不夠低；方案二利用溫度分段補(bǔ)償電路來(lái)實(shí)現(xiàn)溫度的高階補(bǔ)償，進(jìn)一步降低了溫漂系數(shù)和電源電壓。再次，分別基于CSMC-0.5μm和SMIC-0.13μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，繪制了方案一和方案二的版圖并進(jìn)