一種低溫漂CMOS帶隙基準電壓源的設計.pdf

1、隨著CMOS工藝的進步,集成電路已經發(fā)展到系統(tǒng)級芯片SOC的階段,由于CMOS電路的低成本、低功耗以及工作速度的不斷提高,CMOS電路設計技術得到不斷的進步,已經被證明是實現SOC的最好選擇?；鶞试措娐纷鳛槠渲胁豢苫蛉钡囊粋€模塊,一直以來是研究的熱點,基準源是與電源、工藝、溫度的關系很小,其精度及穩(wěn)定性對系統(tǒng)有較大的影響,廣泛的應用于A/D、D/A轉換器、濾波器及鎖相環(huán)電路中,高性能的基準源是電路中必不可少的部分。
　　本文首先談

2、及CMOS基準源的背景及發(fā)展現狀,明確了研究基準源的理論與實際意義。隨著按比例縮小理論的不斷發(fā)展,片上系統(tǒng)(system-on-chip,SOC)已經受到學術界及工業(yè)界廣泛關注。由于SOC要求很高的集成度,而CMOS工藝的特點正好符合了這種需求,因此,用CMOS技術來設計電路越來越成為集成電路的發(fā)展趨勢。通過對比幾種流行的基準源的結構(Brokaw、Widler、Kujik型)來確定本文所采用的結構,然后推導MOSFET器件模型,研究C

3、MOS工藝下的BJT模型,以及非常重要的BEV特性,分析了其中的關鍵參數,研究和討論了電路的核心模塊,詳細給出正溫度系數和負溫度系數電壓的獲取過程,以及運算放大器、啟動電路的設計電路,最后給出完整的低溫漂CMOS基準電壓源的電路,該電路在Kujik基準源的電路基礎上,綜合一階溫度補償、電流反饋和電阻二次分壓的技術,然后仿真并分析結果。
　　本設計的工具是Mentor Graphics的IC軟件,DA_IC為原理圖輸入工具,Eldo