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1、西安電子科技大學學位論文獨創(chuàng)性聲明秉承學校嚴謹?shù)膶W風和優(yōu)良的科學道德,本人聲明所呈交的論文是我個人在導師指導下進行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知,除了文中特別加以標注和致謝中所羅列的內(nèi)容以外,論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果;也不包含為獲得西安電子科技大學或其它教育機構(gòu)的學位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中做了明確的說明并表示了謝意。申請學位論文與資料若有不實之處,本人承擔一切
2、法律責任。本人簽名: 日期西安電子科技大學關(guān)于論文使用授權(quán)的說明本人完全了解西安電子科技大學有關(guān)保留和使用學位論文的規(guī)定,即:研究生在校攻讀學位期間論文工作的知識產(chǎn)權(quán)單位屬西安電子科技大學。學校有權(quán)保留送交論文的復印件,允許查閱和借閱論文;學??梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨?nèi)容,可以允許采用影印、縮印或其它復制手段保存論文。同時本人保證,畢業(yè)后結(jié)合學位論文研究課題再撰寫的文章一律署名單位為西安電子科技大學。( 保密的論文在解密后遵守此規(guī)定)本
3、學位論文屬于保密,在 年解密后適用本授權(quán)書。本人簽名:導師簽名:日期日期——————————羔L ——一Y I IIT 1 I U 8 l6 1 1 7 1 1 1 1 3 f i 6 ll 攀.摘要隨著深亞微米集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展,集成工藝水平的不斷提高,電路設(shè)計技術(shù)的發(fā)展使得電路對參數(shù)要求越來越高,對基準源的性能也提出了挑戰(zhàn)。由于帶隙基準源能夠?qū)崿F(xiàn)很高電源抑制比和較低溫度系數(shù)以及對C M O S 工藝的適用性,是目前最佳的基準源電
4、路。本文采用了帶隙基準源的結(jié)構(gòu)設(shè)計了一種適用于A D C 電路的低電壓,高精度的帶隙基準電路。設(shè)計采用了共柵共源的電流鏡電路,以及去耦電容等濾波電路極大的提高了基準源對電源電壓的抑制能力,并通過采取正負溫度系數(shù)電流一階補償?shù)姆绞?,獲得了相對溫度系數(shù)較低的0 .5 V 基準電壓源以及電流源。本次設(shè)計使用了C h a r t e r0 .3 5 9 M 工藝庫并在H S P I C E 下仿真。結(jié)果表明:當溫度在.4 5 ℃~8 0 ℃變化
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