高精度曲率校正帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計.pdf

1、作為電路系統(tǒng)中的標(biāo)尺，基準(zhǔn)電壓源是電源管理芯片、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器等集成電路(IC)中不可缺少的子模塊，其精度與相應(yīng)電路的性能息息相關(guān)。近些年來，電子設(shè)備的升級換代和新型電子產(chǎn)品投放市場的速度都在迅猛增長，這要求高性能的集成電路芯片作為支撐?；鶞?zhǔn)電壓源是集成電路中的一個關(guān)鍵模塊，對于其的優(yōu)化設(shè)計顯得尤為重要。鑒于上述情況，本文對高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計進(jìn)行了研究，旨在設(shè)計具有低溫度系數(shù)和高電源抑制能力的基準(zhǔn)電壓源。
　　本論文在對帶隙基

2、準(zhǔn)電壓源基本結(jié)構(gòu)和工作原理進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上，對降低帶隙基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)和提高電源抑制能力的方法進(jìn)行了研究和比較，設(shè)計了一種混合模式輸出級的高階帶隙基準(zhǔn)電壓源。采用分段線性補(bǔ)償技術(shù)對基準(zhǔn)電壓的高階溫度分量進(jìn)行了精確修調(diào)，使得基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)大幅降低;采用偽電源電壓技術(shù)對供電進(jìn)行預(yù)穩(wěn)壓，提高基準(zhǔn)源的電源抑制比，同時也可為芯片其它模塊提供穩(wěn)定的供電電壓，提升芯片整體的性能。
　　基于0.5 um BiCMOS工藝，在Hspice仿真軟