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1、隨著集成電路向深亞微米量級(jí)發(fā)展,以及先進(jìn)工藝技術(shù)的不斷涌現(xiàn),不但使一部分原有影響可靠性的問題更加突出,而且還產(chǎn)生了一些新的可靠性問題.然而當(dāng)物理版圖已經(jīng)完成而設(shè)計(jì)者只能做相對(duì)較少的邏輯改變.傳統(tǒng)做法是通過壽命試驗(yàn)和失效分析來發(fā)現(xiàn)可靠性問題,來解決這些可靠性問題,必須要經(jīng)歷幾個(gè)研制周期.因此要對(duì)這種事后檢測(cè)分析的傳統(tǒng)方法進(jìn)行變革,而在電路的設(shè)計(jì)和制造過程中就應(yīng)該考慮可靠性問題.該文在提出可靠性設(shè)計(jì)的基本概念的基礎(chǔ)上,探討了CMOS集成電路
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