電誘發(fā)聽(tīng)性腦干反應(yīng)在人工耳蝸植入的研究及臨床應(yīng)用.pdf

1、目的: 探索和研究人工耳蝸植入術(shù)前/中針電極刺激鼓岬或圓窗龕記錄電誘發(fā)聽(tīng)性腦干反應(yīng)(EABR)。 方法: 42例不同病因(包括耳蝸畸形、內(nèi)聽(tīng)道狹窄、腦白質(zhì)異常、前庭導(dǎo)水管擴(kuò)大綜合征等)、不同年齡的施行人工耳蝸植入的重度及極重度感音神經(jīng)性耳聾患者，在全身麻醉下手術(shù)前/中進(jìn)行電誘發(fā)聽(tīng)覺(jué)腦干反應(yīng)測(cè)試。電刺激儀采用人工耳蝸體外言語(yǔ)處理器連接改裝的人工耳蝸植入體。刺激電極包括鉑銥合金球電極、鼓岬刺激針電極和神經(jīng)刺激套管針電

2、極三種。實(shí)驗(yàn)分為三組(或三個(gè)階段)：第一組(階段)，共17例患者，使用球電極進(jìn)行圓窗膜電刺激和鼓岬刺激針電刺激圓窗龕和/或鼓岬，球電極刺激作為對(duì)照，優(yōu)化針電極的刺激和記錄參數(shù)；第二組(階段)，共20例患者，在參數(shù)、方法等探索穩(wěn)定后，進(jìn)行術(shù)中鼓岬刺激針和神經(jīng)刺激套管針刺激鼓岬和圓窗龕記錄EABR；第三組(階段)，共5例患者，在第二組方法及刺激位置均摸索較成熟后，于術(shù)前鼓岬刺激針或神經(jīng)刺激套管針經(jīng)(跨)鼓膜刺激鼓岬或圓窗龕記錄EABR，同時(shí)

3、于手術(shù)中開(kāi)放面隱窩后同一刺激針刺激同一位置，再次記錄EABR，并同經(jīng)鼓膜結(jié)果作對(duì)照。 由人工耳蝸處理器連接植入體給予電刺激，Bio—logic Navigator Pro誘發(fā)電位儀記錄電誘發(fā)聽(tīng)覺(jué)腦干反應(yīng)。刺激電極放置方式和位置：1)手術(shù)中開(kāi)放面隱窩后(植入人工耳蝸前)，在直視下用球電極刺激圓窗膜、鼓岬刺激針或神經(jīng)刺激套管針刺激圓窗龕和鼓岬；2)手術(shù)開(kāi)始前，用針電極經(jīng)鼓膜在其圓窗龕投映區(qū)處穿刺，刺激圓窗龕或鼓岬。術(shù)中直視下的電刺激

4、位置包括圓窗龕底、圓窗龕上緣、前緣，并根據(jù)刺激位置將圓窗龕底分為一組，圓窗龕前緣、上緣分為一組，分別進(jìn)行統(tǒng)計(jì)。植入后再次常規(guī)記錄EABR。摸索參數(shù)，建立方法，對(duì)比植入前與植入后獲得的波形特點(diǎn)，同時(shí)對(duì)比兩種刺激針?biāo)霾ㄐ蔚奶攸c(diǎn)及規(guī)律，并在部分特殊病例進(jìn)行初步臨床應(yīng)用。得到結(jié)果應(yīng)用SPSS11.5統(tǒng)計(jì)軟件進(jìn)行統(tǒng)計(jì)學(xué)分析。 結(jié)果: 第一組17例病人中，使用脈寬為50或75us的電脈沖，對(duì)所有病人分別進(jìn)行球電極刺激圓窗膜和針電

5、極刺激圓窗龕或鼓岬，其中在球電極電刺激圓窗膜中17例全部引出波形，針電極刺激圓窗龕或鼓岬17例中僅有4例引出EABR波形。在此基礎(chǔ)上，對(duì)17例中的9例分別使用脈寬為50、75和200us的電脈沖，再行圓窗龕或鼓岬針電極刺激，在50/75us脈寬下，能引出EABR波形的為2例，而在200us的脈寬下9例均引出EABR波形。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，不同電極形式和刺激部位誘發(fā)的EABR結(jié)果存在差異，其中球電極誘發(fā)的EABR：Ⅴ波潛伏期平均為4.30±0.2

6、5ms，閾值為189.20±25.80CL，200us脈寬下針電極誘發(fā)的EABR：Ⅴ波潛伏期為4.50±0.39ms，閾值為170.23±13.50CL。Ⅴ波的引出率最高，其次是Ⅲ波，其余各波引出率不穩(wěn)定。但針電極刺激誘發(fā)出的EABR波形比球電極刺激誘發(fā)的波形分化差。在針電極刺激時(shí)，嘗試改變其它參數(shù)，如刺激速率、改用雙極刺激模式、疊加次數(shù)、增益以及調(diào)整高、低通濾波等均未對(duì)波形引出率產(chǎn)生明顯影響。 第二組所有20例患者植入前均記錄

7、到明確的電誘發(fā)聽(tīng)性腦干反應(yīng)波形，同一病人分別使用鼓岬針和神經(jīng)刺激套管針進(jìn)行電刺激8例，單獨(dú)使用神經(jīng)刺激套管針3例，單獨(dú)使用鼓岬針電刺激8例，單獨(dú)使用神經(jīng)刺激套管針的外殼針電極進(jìn)行刺激1例。Ⅴ波全部引出，Ⅴ波潛伏期平均4.70±0.58ms；Ⅲ波有10例引出，潛伏期平均2.91±0.45ms，Ⅲ—Ⅴ間期2.01±0.38ms，反應(yīng)平均閾值197.00±20.79CL，約相當(dāng)于電流540uA。植入后有1例內(nèi)聽(tīng)道狹窄病人EABR波形分化不典型

8、，但NRT波形分化較好，其余19例植入后均獲得明確的電誘發(fā)聽(tīng)性腦干反應(yīng)波形，Ⅴ波引出19例，平均潛伏期4.65±0.67ms；Ⅲ波引出13例，平均潛伏期2.66±0.61ms，Ⅲ—Ⅴ間期2.09±0.51ms，平均反應(yīng)閾值161.32±20.40CL，約相當(dāng)于電流260uA。經(jīng)統(tǒng)計(jì)學(xué)分析，植入前、植入后的Ⅲ波潛伏期、Ⅴ波潛伏期、Ⅲ—Ⅴ間期均P>0.05；術(shù)中不同刺激部位之間的Ⅴ波潛伏期、反應(yīng)閾值均P>0.05；植入前鼓岬刺激針和神經(jīng)刺激

9、套管針電極刺激的反應(yīng)閾值比較P>0.05；在植入前和植入后，無(wú)殘余聽(tīng)力病人和有殘余聽(tīng)力病人的Ⅴ波潛伏期之間分別進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，均P>0.05；植入后50us和200us脈寬下分別記錄EABR，Ⅴ波潛伏期相比較，P>0.05，無(wú)統(tǒng)計(jì)學(xué)差別。植入前的反應(yīng)閾值和植入后的反應(yīng)閾值P<0.05，植入后50us和200us脈寬下分別記錄EABR閾值，統(tǒng)計(jì)分析結(jié)果為P<0.05，有統(tǒng)計(jì)學(xué)差別。植入前針電極刺激所需要的神經(jīng)刺激電流量動(dòng)態(tài)范圍較窄，平均約2

10、4.6CL，植入后約55CL。 第三組，5例患者手術(shù)前、手術(shù)中植入前、植入后均記錄出易于辨認(rèn)的分化良好的波形，手術(shù)中同一位置同一刺激器再次記錄誘發(fā)出的EABR波形與經(jīng)鼓膜刺激獲得的EABR波形重復(fù)性好，波形可靠，經(jīng)鼓膜刺激的波形分化較手術(shù)中植入前同一位置的波形分化好。 結(jié)論: 1、人工耳蝸植入前，經(jīng)鼓膜針電極刺激鼓岬或圓窗龕記錄EABR的方法是可行的，經(jīng)鼓膜電刺激的EABR波形比術(shù)中植入前同一位置電刺激誘發(fā)的波形

11、分化好； 2、植入前針電極刺激鼓岬和圓窗龕記錄的EABR，波形分化較術(shù)后蝸內(nèi)記錄的波形差，但波形引出率相似； 3、在人工耳蝸植入前行針電極刺激時(shí)，脈寬和刺激點(diǎn)的位置是決定能否引出EABR波形的最重要因素； 4、針電極刺激鼓岬或圓窗龕時(shí)，不同的位置之間以及同植入后蝸內(nèi)刺激所引出的EABR波形可能會(huì)有差異，但總的閾值和潛伏期在統(tǒng)計(jì)學(xué)上無(wú)明顯差別； 5、不同脈寬下記錄EABR，潛伏期基本相同，但閾值不同，脈寬越