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1、東南大學(xué)碩士學(xué)位論文300VIGBT的設(shè)計(jì)姓名:周昕杰申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):軟件工程(IC)指導(dǎo)教師:李智群蔡世俊20080328AbslfactAbstractIGBTisanewtypeofpowerelectronicsdevicesBecauseithasseveraladvantages:higbinputresistance、lowvoltagedrop、simpledrivecircuit、wideSOA、goodcur
2、rentscapabilityetcitsverypopularwithdesignershsimportanttothedevelopmentofnotonlytraditionalindustries(suchaselectricpowermechanismmimng,traffic,chemistryweavingetc),butalsohighandnewtechnology(suchasspaceflight,lasercom
3、munication,automationetc)TheapplyingareasofIGBTtoucheveryindustrydepartmentofNationaleconomyWithoutquestion,itisaOReoftheveryimportantpowerelectronicsdevicesInthisthesis,a300VIGBThasbeendesignedUndertheconditionofbreakdo
4、wnvoltagewhichhasbeengivencompromisingresistancewithswitchingcharacteristicisthekeyofdesigningIGBTForthispurpose,IproposedaconvenientandfeasibledesignthoughtonbasicofparameteroptimumFirstlythedevice’svalueofstructurepara
5、meterwasapproximatedThenTsuprera4andMedicisoftwareweTeusedtoopamizethevalueswhichgotbyapproximatecalculationForoptimizingthedevicesslmctareandtechnologicalparametersofchannal,aB岫breakerPBODYNSDetcthebreakdownvoltage,thre
6、sholdvoltage,switchingcharacteristicandresistanceweresimulatedAtlast,ithasgottenthetargetsofdesignThoughthestimulationbycomputerthebreakdownvoltagesofthe1GBTis340Vthresholdvoltageis2036Vtumontimeis5xlO4us,tttraofftimeis恥
7、sIthasgottenthetargetsofdesignThepresented1GBTcallbewellappliedinthehighvoltagepowerICsforitssirepleprocessthatiscompatiblewiththeMOSprocessKeywords:IGBT;breakdownvoltage;thresholdvoltage;switchingchamcteristic;resistanc
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