基于600V的IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì).pdf_第1頁
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文檔簡介

1、目前在高壓大電流的應(yīng)用領(lǐng)域上，IGBT有絕對的統(tǒng)治地位。主要原因是由于IGBT管結(jié)合了GTR和MOSFET二者的優(yōu)點(diǎn)，具有開關(guān)速度快，耐壓能力高，熱穩(wěn)定性能好等確定?，F(xiàn)在基于IGBT的驅(qū)動(dòng)電路也已經(jīng)成為電力電子應(yīng)用領(lǐng)域中的核心產(chǎn)品。本文基于UMC0.6μm15V BCD工藝設(shè)計(jì)了IGBT柵驅(qū)動(dòng)電路。本驅(qū)動(dòng)電路由一個(gè)三相橋式IGBT逆變器電路和四個(gè)有保護(hù)控制功能的驅(qū)動(dòng)模塊組成。控制功能的驅(qū)動(dòng)電路其中由3個(gè)高壓IC（HVIC）、1個(gè)低壓IC

2、（LVIC）、6個(gè)IGBT功率管、6顆快恢復(fù)二極管（FRD）來組成。因此電路需要同時(shí)工作在高壓和低壓兩個(gè)狀態(tài)。在電路的設(shè)計(jì)上面，高壓模塊主要是使用MOS管搭建電路，而在低壓模塊中主要使用BJT管搭建電路。
　　本文首先介紹了驅(qū)動(dòng)電路的研究意義與背景。然后對電路進(jìn)行系統(tǒng)性設(shè)計(jì)進(jìn)行介紹，分別從橋式電路、隔離技術(shù)以及IGBT器件工作原理，并確立了三相橋式驅(qū)動(dòng)電路的整體框架。隨后本文分別對過溫保護(hù)、欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、故障控制、電平位移和

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