2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩69頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、近些年來,功率集成電路得到了越來越多的關注。通過將高壓功率器件與低壓控制電路以及各種保護電路集成到一塊芯片上,可以有效降低系統(tǒng)成本,提高系統(tǒng)可靠性。超薄絕緣體上硅技術(SilicononInsulator,SOI)相對體硅及厚膜絕緣體上硅技術具有一系列優(yōu)勢,比如隔離工藝簡單且可靠,寄生效應小,少子器件的開關速度高,可集成高壓功率器件。集成在超薄SOI上的橫向絕緣柵雙極型晶體管(LateralInsulatedGateBipolarTra

2、nsistor,LIGBT)是近乎理想的功率器件,擁有較低的導通壓降和極小的關斷損耗。唯一的缺憾是相對厚膜SOI-LIGBT,超薄SOI-LIGBT的電流能力有較大的降低。
  本文主要設計出一種可以應用于單芯片智能功率模塊(IntelligentPowerModule,IPM)的擁有大電流密度的超薄SOI-LIGBT器件。論文首先介紹了SOI-LIGBT的工作原理及超薄SOI-LIGBT的特點,并詳細闡述了超薄SOI結構器件設計

3、技術。在此基礎上,首先對器件基本二維結構進行設計優(yōu)化,利用器件耐壓、閾值電壓、開態(tài)電流、抗閂鎖性能之間的折中關系選擇二維結構與工藝參數(shù)。接著通過將P阱分為多個獨立的多邊形模塊,提出一種三維多溝道超薄SOI-LIGBT改進結構,利用三維器件仿真模擬其電流特性、耐壓特性、抗閂鎖特性以及關斷特性,并與傳統(tǒng)結構進行對比分析,基于上述二維與三維設計結果得到一組多溝道結構優(yōu)化設計參數(shù),對比設計指標與模擬結果。最后簡要分析了器件制造的工藝流程,繪制版

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論