1200V RC Trench IGBT的設(shè)計.pdf

1、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），作為第三代電力電子產(chǎn)品，是當前功率半導(dǎo)體中最重要的器件之一。IGBT以其優(yōu)秀的綜合性能廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運輸、電機控制、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域。自發(fā)明以來，小型化、集成化一直是IGBT的一個重要發(fā)展趨勢。在很多應(yīng)用場合中，IGBT通常需要反向并聯(lián)一個二極管來實現(xiàn)續(xù)流，由于處于不同的封裝中，不可避免地引入了寄生電阻、電感等，影響電路性能。單片集成二極管的RC

2、 IGBT可以消除這些寄生參數(shù)的影響，提高器件的可靠性。由于我國的IGBT起步較晚，制造工藝相對落后，RC IGBT產(chǎn)品都是如英飛凌、ABB等國外大公司推出的。國內(nèi)至今沒有自主品牌的產(chǎn)品，相關(guān)學(xué)術(shù)研究也非常缺乏。本文基于此，進行1200V RC Trench IGBT的設(shè)計與分析，為進一步的研究以及生產(chǎn)制造提供參考。
　　本文主要內(nèi)容如下：
　　1、結(jié)合Trench IGBT理論，對RC Trench IGBT進行介紹，分析

3、其工作原理、Snapback現(xiàn)象、正向阻斷情況以及開關(guān)特性。從原理和模型出發(fā)，深入研究影響RC IGBT的Snapback現(xiàn)象的原因并提出解決方案。
　　2、設(shè)計1200V RC Trench IGBT的工藝流程，通過增加一張掩膜板來完成集電極N型區(qū)域的制造。結(jié)合工藝，進行RC Trench IGBT的元胞結(jié)構(gòu)、終端結(jié)構(gòu)以及版圖的設(shè)計。所設(shè)計的1200V RC Trench IGBT不存在Snapback現(xiàn)象，擊穿電壓滿足設(shè)計要求