6500V IGBT設(shè)計(jì)及動(dòng)態(tài)特性研究.pdf

1、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）具有高耐壓、低正向?qū)▔航?、較快的開關(guān)速度和較低的關(guān)斷損耗。這些特性使它成為一種較為理想的開關(guān)器件。伴隨著智能電網(wǎng)、變頻家電、軌道交通等方面的大力發(fā)展，國(guó)內(nèi)IGBT的制造技術(shù)也日趨成熟。本文以一款6500V場(chǎng)截止型IGBT的設(shè)計(jì)過程為主線，針對(duì)工藝參數(shù)對(duì)于器件各項(xiàng)特性的影響做了詳盡的仿真與分析，尤其是動(dòng)態(tài)特性的分析。本文主要工作如下：
　　第一，本文總結(jié)了歷代IGBT器件的結(jié)構(gòu)與技術(shù)，結(jié)合國(guó)內(nèi)現(xiàn)有的工

2、藝水平，提出了一種具有高可實(shí)現(xiàn)性的6500V IGBT設(shè)計(jì)方案及相應(yīng)的工藝流程。
　　第二，通過仿真軟件設(shè)計(jì)了器件基本的正向阻斷能力，達(dá)到目標(biāo)耐壓。包括器件材料的電阻率選擇，器件厚度的確定以及相應(yīng)的結(jié)終端設(shè)計(jì)。該工藝流程的選擇和設(shè)計(jì)都很好符合與實(shí)驗(yàn)室合作的企業(yè)工藝水平。這些工作的完成為后續(xù)流片工作做好了充分的準(zhǔn)備。
　　第三，詳盡分析了各工藝參數(shù)對(duì)于器件性能的影響。包括 P-well注入劑量、JFET區(qū)注入劑量、柵長(zhǎng)所占元胞