IGBT驅(qū)動芯片的設(shè)計.pdf

1、隨著IGBT在電力電子技術(shù)中的廣泛應(yīng)用，其驅(qū)動模塊的設(shè)計也備受關(guān)注。因?yàn)樗翘岣吣芰哭D(zhuǎn)換效率和保護(hù)IGBT的關(guān)鍵器件，它是強(qiáng)電和弱點(diǎn)的接口，是IGBT門極控制的直接動力，又是檢測IGBT狀態(tài)的最直接方式，所以IGBT驅(qū)動芯片的設(shè)計既涉及對于IGBT功率半導(dǎo)體的特性了解，又要結(jié)合大規(guī)模集成電路制造的工藝現(xiàn)狀。
　　本文首先詳細(xì)討論了IGBT的結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理，以及它的基本應(yīng)用拓?fù)洌?qū)動和隔離等內(nèi)容，旨在為驅(qū)動芯片的設(shè)計提供實(shí)際的應(yīng)

2、用環(huán)境。因?yàn)镮GBT可視為雙極型大功率晶體管和功率場效應(yīng)晶體管的復(fù)合，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管。所以開關(guān)過程較為復(fù)雜，而且開關(guān)時間不對稱，關(guān)斷時存在拖尾現(xiàn)象。為了針對IGBT驅(qū)動進(jìn)行設(shè)計，因此對IGBT的討論占用了不少的篇幅。
　　另外，它的基本應(yīng)用系統(tǒng)和切實(shí)可行的工藝選擇也是設(shè)計一款芯片必備的條件。IGBT一般用于逆變電路，上下臂電壓差別很大，因此需要隔離;IGBT驅(qū)動對于電壓電流的要求較高，同時又要集成保護(hù)