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文檔簡介
1、隨著摩爾定律的延續(xù),半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷飛速發(fā)展,集成電路芯片的尺寸越來越小和信號(hào)頻率越來越高。隨著SOC的出現(xiàn)和大規(guī)模的應(yīng)用,芯片內(nèi)的互連線的作用變得越來越重要,而由于芯片面積越來越大,同時(shí)線寬越來越窄,現(xiàn)在的集成電路芯片中主要的延時(shí)已經(jīng)從門延時(shí)變成了線上延時(shí),互連傳輸線的效應(yīng)成為限制整個(gè)系統(tǒng)性能的瓶頸。 從而對(duì)傳輸線的研究變得越來越重要,而在當(dāng)今的工藝和信號(hào)頻率下,傳統(tǒng)的采用集總參數(shù)的參數(shù)提取方法由于信號(hào)的頻率提升而帶來的寄
2、生效應(yīng)失去了準(zhǔn)確性,所以需求新的參數(shù)提取的方法和新的宏模型來適應(yīng)當(dāng)今工藝條件和信號(hào)頻率具有至關(guān)重要的意義。 在本文中,作者將對(duì)片內(nèi)互連線作為分析,提取它的高頻寄生參數(shù)并對(duì)其建立一個(gè)低階的模型。文中的研究主要分為2個(gè)部分: 1.互連線寄生參數(shù)提取部分 對(duì)于互連線的建模和參數(shù)提取有很多的各種各樣的解法有的通過AWE方法來獲取線性RLC傳輸線的時(shí)域宏模型而有的則是通過對(duì)傳輸線的S參數(shù)做變換為Z參數(shù)提取分布的RLC參數(shù)。
3、在本文中作者將采用Dinh提出的在高頻下考慮到趨膚效應(yīng)通過劃分傳輸線來首先實(shí)現(xiàn)對(duì)傳輸線矩形劃分后準(zhǔn)確的寄生參數(shù)提取。 為了使電流在切分單元里面的密度均勻,將導(dǎo)體按照一定比例變間距切分,然后對(duì)其進(jìn)行寄生參數(shù)提取分別得到傳輸線的R、L、C寄生參數(shù),從而實(shí)現(xiàn)等效的RLC網(wǎng)絡(luò)矩陣。 2.模型降階部分 然而由于現(xiàn)在芯片傳輸線的長度越來越長,同時(shí)頻率越來越高,使用傳統(tǒng)的矩形劃分傳輸線來提取參數(shù)將使劃分間隔越來越小,劃分塊數(shù)越
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