抗工藝漲落的高性能電壓基準(zhǔn)源設(shè)計(jì).pdf

1、近年來，由于集成工藝水平的提高，電路設(shè)計(jì)技術(shù)的不斷改進(jìn)，模擬集成電路的設(shè)計(jì)得到較大的發(fā)展，同時(shí)對電路的性能提出新的挑戰(zhàn)。目前隨著便攜式電子系統(tǒng)的普遍應(yīng)用，對模擬集成電路的各方面性能也有了更高的要求?；鶞?zhǔn)電壓源廣泛應(yīng)用于各種模擬集成電路、數(shù)字混合信號集成電路和系統(tǒng)集成芯片中，是集成電路中一個(gè)重要的單元模塊，也是各種傳感器，數(shù)模模數(shù)轉(zhuǎn)換器電路中的基本元件。它的溫度穩(wěn)定性和電源電壓擬制比是影響整個(gè)系統(tǒng)精度和性能的關(guān)鍵性因素。
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2、文基于基準(zhǔn)電壓源的重要性，基于SMIC0.18μm1.8V CMOS工藝，研究并設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種抗工藝漲落的高性能基準(zhǔn)電壓源電路。論文首先簡介了電壓基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，包括基準(zhǔn)電壓源的性能指標(biāo)、分類、基本原理、基本結(jié)構(gòu)；著重分析了溫度補(bǔ)償、零溫度系數(shù)的實(shí)現(xiàn)方法。經(jīng)分析比較后，選擇了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源作為設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，分析其基本原理，分別從高精度和低電源電壓入手設(shè)計(jì)出帶隙電壓基準(zhǔn)源的核心電路，針對前者，采用了一種高階溫度補(bǔ)償方法—