版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、TeO<,2>單晶因其具有很高價(jià)值的聲光質(zhì)量和品質(zhì)因素,在聲光調(diào)制器、聲光偏轉(zhuǎn)器、聲光濾波器等方面有著廣泛的應(yīng)用.尤其是近年來聲光調(diào)制器和聲光濾波器在光計(jì)算、光通訊和光顯微成像等技術(shù)中應(yīng)用的不斷發(fā)展,對(duì)TeO<,2>晶體質(zhì)量的要求愈來愈高.與下降法相比,提拉法生長工藝具有進(jìn)一步提高TeO<,2>晶體質(zhì)量的潛力.因此采用提拉法研究生長高質(zhì)量的TeO<,2>單晶具有十分重要意義.該工作是上海市教委重點(diǎn)學(xué)科研究項(xiàng)目(特種晶體材料產(chǎn)業(yè)化中試)中
2、的重要研究內(nèi)容.該文主要研究了TeO<,2>原料合成與晶體生長工藝,探索了晶體缺陷的形成機(jī)理,討論分析了TeO<,2>單晶生長的工藝參數(shù)對(duì)晶體缺陷的影響.主要研究結(jié)果如下:1.提出了TeO<,2>干法合成的設(shè)計(jì)思想,并對(duì)制備工藝及其裝置進(jìn)行了專門的討論,比較了各種實(shí)驗(yàn)裝置的優(yōu)點(diǎn)及其缺點(diǎn),并根據(jù)實(shí)際操作所得到的經(jīng)驗(yàn),提出了自己最佳的設(shè)計(jì)方案.2.基于晶體生長理論,推導(dǎo)了溫度梯度、晶體提拉速率及晶體直徑與籽晶旋轉(zhuǎn)速率之間的定性關(guān)系,采用有限
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- TeO-,2-晶體生長與特性研究.pdf
- 直拉單晶硅的晶體生長及缺陷研究.pdf
- 碲鋅鎘單晶體生長的缺陷研究.pdf
- 碲鋅鎘單晶體的生長與缺陷.pdf
- 碘化鉛多晶合成與單晶生長研究.pdf
- MgF-,2-單晶的加工工藝研究.pdf
- 利用減薄-鍵合襯底生長GaN單晶及其缺陷的研究.pdf
- 雜質(zhì)對(duì)直拉硅單晶中原生缺陷以及熱處理誘生缺陷的影響.pdf
- MgB2超導(dǎo)單晶生長研究.pdf
- 22758.泡生法藍(lán)寶石單晶生長及缺陷研究
- 分子束外延生長β-MnO-,2-單晶薄膜的結(jié)構(gòu)表征和拉曼光譜研究.pdf
- 2-(2-噻吩)乙胺的合成工藝研究.pdf
- SiHCl-,3--H-,2-外延生長單晶硅反應(yīng)機(jī)理的理論研究.pdf
- 2-魚類的生長
- SiCl-,4--H-,2-外延生長單晶硅反應(yīng)機(jī)理的理論研究.pdf
- 40781.磁性拓?fù)浣^緣體單晶的生長以及磁學(xué)性質(zhì)的研究
- 2-甲基-3-丁烯-2-醇的合成研究.pdf
- 2-氨基丁醇的合成研究.pdf
- Yb-KGd(WO-,4-)-,2-激光晶體生長與缺陷研究.pdf
- 2-(2,2,2-三氟乙氧基)苯胺的合成工藝研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論