SiHCl-,3--H-,2-外延生長(zhǎng)單晶硅反應(yīng)機(jī)理的理論研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩56頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、在常壓下,SiHCl<,3>/H<,2>體系在Si襯底表面上進(jìn)行的氣相外延生長(zhǎng)是目前生長(zhǎng)單晶硅最廣泛、最重要的方法.該論文將量子化學(xué)與分子反應(yīng)動(dòng)力學(xué)相結(jié)合,采用密度泛函理論方法,依據(jù)過(guò)渡態(tài)理論,首次全面系統(tǒng)地對(duì)此反應(yīng)體系的微觀反應(yīng)機(jī)理進(jìn)行了理論研究.根據(jù)實(shí)驗(yàn)檢測(cè)到的產(chǎn)物以及由Hitoshi Habuka等人所提出的SiHCl<,3>/H<,2>反應(yīng)體系的外延生長(zhǎng)過(guò)程,首先設(shè)計(jì)了該反應(yīng)體系在氣相中的可能反應(yīng)通道和在Si襯底表面上的可能反應(yīng)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論