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1、Y8之ljI55洳≥:J~碩士學(xué)位論文⑧浙江^掌碩士畢業(yè)論文UHV/CVD,k延生長硅及錆硅單晶薄膜AbstractThisthesisworkmainlyinvolvesthedepositionbyUHV/CVDandcharacterizationofundopedepitaxialSiGesingle—layerandmultilayeraswellasstudiesofSiGegrowthkineticsThedepositi
2、onofrelaxedSi。GexbufferusedforhighGecontentvirtualsubstrateisalsoincludedinthearticleIntheresearchweusehighresolutionX—raydiffractometry,Ramanscatteringspectroscopy,secondaryionmassspectrometry,TEMandatomicforcemicroscop
3、ytocharacterizethedepositedfilmsIntheexperimentsweutilizeUHV/CVD—IIgrowthsystemofourlaboratoryAtfirst,weaccomplishedgrowthofhighqualitylayersofSilxGexsinglelayerwithgermaniumcontentsof0127xO56onsiliconsubstratesattempera
4、tures500~660。C,andthegrowthparametersareoptimizedinthegrowthWeanalysesystematicallytherelationofgrowthtemperature,sourcegasfluxratio,germaneincorporationandgrowthrate,andresearchontheirinfluenceonthequalityofthefilmSecon
5、dly,uponthatground,wefinishthegrowthofmulti—quantumwellandsuperlatticemulti—layersThemeasurementresultsindicatethatthemulti—layersacquiredhavehighperiodicitywithclearSi/SiGedividinglinesandabruptinterfaces,thecontentandt
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