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文檔簡介
1、本文利用一種先進的薄膜制備技術超高真空化學氣相沉積(UHVCVD)對在SiO2非晶襯底上生長Si1-xGex多晶薄膜的一系列研究。文章研究了不同的生長氣氛對超高真空化學氣相沉積選擇性生長鍺硅薄膜的影響，采用SEM，XRD研究了不同生長條件下的薄膜的成核情況，指出當溫度高于550℃時，氣氛中鍺含量對超高真空選擇性生長鍺硅有明顯的影響，低于550℃時，氫氣以及鍺烷相互作用對鍺硅選擇性生長產(chǎn)生影響。通過對比不同的生長條件，并結合鍺硅材料的生長
2、特性，指出最佳的選擇性生長條件為：溫度為550℃，生長氣氛中SiH4、GeH4和H2的流量比為5：0.5：4.5，在此條件下，不僅能夠獲得高質(zhì)量的Si1-xGex薄膜，而且多晶鍺硅在二氧化硅表面成核的潛伏時間可達到40min以上，完全可以滿足器件制備的需要。研究了利用Al和Ni兩種金屬作為誘導層，利用UHVCVD分別在高、低壓下生長多晶鍺硅，發(fā)現(xiàn)在生長壓強較高時兩者均具有誘導生長多晶鍺鍺硅的作用，但是薄膜的表面形貌相差巨大，Ni更適合
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